载流子传输特性有效决定纳米电子器件的电子性能，因而受到广泛关注。而形成异质结是调节材料物理和化学性质的有效途径。我院17级本科生曾小龙在殷文金副教授团队指导下，利用第一原理结合形变势理论研究了Janus MoSSe/GaN结构的电子结构和载流特性。发现该异质结构具有优越的电学性能，如电子载流子迁移率为281.28 cm²·V⁻¹·s⁻¹，空穴载流子为3951.2 cm²·V⁻¹·s⁻¹。特别是，载流子迁移率的大小可以通过Janus结构和叠加模式来进一步调节异质结构。结果表明，有效质量和弹性模量对其影响较大异质结的载流子迁移率不同，而变形势对异质结的迁移率有不同的影响异质结构中电子和空穴的载流子迁移率。相关研究成果发表在SCI杂志Front. Phys. 16(3), 33501 (2021)。