1月6日上午，湖南大学半导体应用技术创新研究院院长，国家杰出青年基金获得者，万人计划“青年拔尖人才”廖蕾教授和华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室研究员，国家优秀青年基金获得者、珠江学者，科技部“十五五”规划总体专家组专家兰林锋研究员应我校聂国政副教授邀请，在知行楼B509做了两场精彩的学术报告。

首先，廖蕾教授做了题为“范德华集成技术调控二维半导体器件界面”的学术讲座。讲座介绍二维半导体材料的低功耗新型器件被认为有望延续摩尔定律存在空间，得到更小尺寸、更高密度的集成电路。然而由于原子级体厚度，传统的器件工艺难以应用于脆弱的二维晶格，限制了二维半导体器件的性能与其应有的新奇特性。廖蕾教授首次提出范德华异质集成的方法，实现了低缺陷态密度的完美栅极接触界面，获得了大规模高速射频晶体管。发展了超薄缓冲层法，避免了栅极介质与二维沟道之间的直接键合，获得了亚阈值摆幅接近理论极限的高迁移率二维晶体管。廖蕾教授在Nature、Nature Electron.、Nature Nano.、 Nature Commun.等学术期刊发表SCI论文200余篇，H因子82。授权中国发明专利7项。获得IUMRS国际材料联合会前沿材料青年奖、湖南省青年科技奖、湖南省自然科学一等奖、教育部自然科学一等奖和湖北省自然科学一等奖两次。

▲廖蕾教授学术讲座

随后兰林锋研究员做了题为“高迁移率薄膜晶体管及其在新型显示和类脑计算中的应用探索”的学术讲座。兰林锋研究员面对显示应用方面，TFT面临迁移率低、稳定性差的问题。研究了稀土离子的电荷转移跃迁对氧化物半导体的光稳定性的改善作用。研究表明：四价稀土离子（ 如Pr4+和Tb4+）的电荷转移跃迁能将入射光下转换成无辐射跃迁态，大幅降低光生电子的寿命，从而大幅改善氧化物TFT光热稳定性，同时提高迁移率。相关材料与通过京东方、TCL华星的工艺验证，目前正导入高世代G8.6产线。此外，进一步探索了TFT的可拉伸化构建及其在类脑计算中的新应用，实现了具有长程可塑、学习记忆功能的可拉伸突触晶体管。兰林锋研究员主要从事半导体材料与器件、薄膜晶体管、新型显示、柔性电子、印刷电子等方向的研究。获广东省技术发明一等奖、中国光学科技奖三等奖、全国颠覆性技术创新大赛优秀奖、世界客属优秀青年博士奖、广东省材料研究学会青年科技奖等。发表SCI论文150多篇，被引用5000多次。获授权发明专利40多件。

▲兰林锋研究员学术讲座

两位专家的报告展示了在突破摩尔定律极限条件下范德华异质集成的方法和新型显示、柔性电子等方面最新研究成果，参会老师、与学生与两位专家展开了热烈的讨论。两位专家精彩的报告，顶级科研成果和严谨科研风范给我校师生带来了一场精彩学术盛宴。

（一审：贺祖龙 二审：詹杰 三审：易贵元）