郑晓明
时间：2026-03-26 来源：湖南科技大学物理与电子科学学院作者：湖南科技大学物理与电子科学学院访问量：
郑晓明，男，汉族，山西吕梁人，讲师，硕士生导师。2013年毕业于长治学院物理系，获学士学位，2015年毕业于国防科技大学理学院物理学专业，获硕士学位，2020年毕业于中南大学物理与电子学院物理学专业，获博士学位，同年入职厦门大学做博士后，2022年加入湖南科技大学物理与电子科学学院。
联系方式：Email: 1080098@hnust.edu.cn；电话：15874954147.
主讲课程：《工程光学》《机械视觉》《大学物理》。
近期主要研究方向：
（1）二维半导体热输运调控、电子器件热管理；
（2）低维量子材料的对称性破缺调控与物性研究；
（3）莫尔超晶格扭角电子学与界面效应；
（4）基于二维半导体新型电子器件、光电器件设计与应用。
拟招收2-3名物理学、电子及光学背景研究生。
近期承担的科学项目：
1湖南省自然科学基金面上项目《紫外臭氧空穴掺杂对MoTe2热电性能的调控》No.2024JJ5164，(2024.01-2026.12），主持。
2湖南省教育厅优秀青年项目《各向异性电介质诱导PdSe2界面对称性破缺实现面内极化调控及机理研究》，25B0434，(2026.01-2029.12），主持。
近期以一作或通讯作者发表的科研论文：
(1) Manipulating anisotropic interfacial thermal transport on graphene/CrOCl heterostructure via symmetry engineering. Carbon, 2025: 120617.
(2) Thinning Effect of Few-Layer Black Phosphorus Exposed to Dry Oxidation. Nanomaterials, 2025, 15(13): 974
(3) Symmetry-breaking-engineered in-plane bulk photovoltaic effect in van der Waals WS2/CrOCl Heterostructure. RSC advances, 15(31), 25625-25632.
(4) Symmetry-breaking induced optical anisotropy in van der Waals WS2/CrOCl heterostructures. Optics Communications (2025): 132317.
(5) Tunable in-plane anisotropy of quasiparticles in twisted MoS2/CrOCl heterostructures. Applied Physics Letters, 2024,124:24.
(6) Van der Waals interlayer coupling induces distinct linear dichroism in WSe2 photodetectors. Advanced Optical Materials, 2023, 11(4): 2201962.
(7) Symmetry engineering induced in-plane polarization in MoS2 through van der Waals interlayer coupling. Advanced Functional Materials, 2022, 32(28): 2202658.
(8) Highly anisotropic thermal conductivity of few-layer CrOCl for efficient heat dissipation in graphene device. Nano Research, 2022, 15(10): 9377-9385.
(9) Thickness Dependent Anisotropy of In-Plane Raman Modes under Different Temperatures in Supported Few-layer WTe2. Applied Physics Letters, 2021, 119(6): 063104.
(10) Enormous enhancement in electrical performance of few-layered MoTe2 due to Schottky barrier reduction induced by ultraviolet ozone treatment. Nano Research, 2020, 13(4): 952-958.
(11) A homogeneous p-n junction diode by selective doping of few layer MoSe2 using ultraviolet ozone for high-performance photovoltaic devices. Nanoscale, 2019, 11(28): 13469-13476.
(12) Controlled layer-by-layer oxidation of MoTe2 via O3 exposure. ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 10(36): 30045-30050.
(13) High electrical conductivity of individual epitaxially grown MoO2 nanorods. Applied Physics Letters, 2017, 111(9): 093505-093510.
(14) The Raman redshift of graphene impacted by gold nanoparticles. AIP Advances, 2015, 5(5): 057133.